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山田 礼司; 曽根 和穂
Journal of Nuclear Materials, 120(1), p.119 - 121, 1984/02
被引用回数：14 パーセンタイル：96.54(Materials Science, Multidisciplinary)陽子と原子状水素の同時照射による黒鉛材料の化学スパッタリング(メタン生成)収率の測定を行なった。このときの陽子のエネルギーは1KeV、原子状水素のエネルギーは熱エネルギーである。同時照射では0.03CH
/H
以上の収率を示し、陽子照射によってメタン生成が加速されることを示している。このメカニズムとして、陽子が表面層に照射損傷を作り、これがメタン生成の活性化を促すためと考えられる。
曽根 和穂; 山田 礼司
応用物理, 53(3), p.217 - 221, 1984/00
最近、核融合装置の第一壁は、JT-60の例からもわかるように、低Z材料(炭素材料、SiC、TiCなど)を使用することが普通になってきている。しかし低Z材料では、水素と化学反応して損耗していく化学スパッタリングが無視できない場合が多い。ここではこれらの材料における化学スパッタリング研究の最近の動きについて、著者らの経験をまじえながら解説した。タングステンをダイバータ板として使用する場合の酸素との反応についても若干ふれた。
広岡 慶彦; 永栄 円*; 佐野 忠雄*
Journal of Nuclear Materials, 116, p.206 - 210, 1983/00
被引用回数：2 パーセンタイル：35.11(Materials Science, Multidisciplinary)W-フィラメントにより生成された原子状水素を含む、原子/分子混合水素ビームとグラファイトの反応挙動が検討された。反応生成物は、主として、メタンであり、メタンの生成確率の温度依存性は、その反応が見かけ上負の活性化エネルギを持つ事を示した。
7再構成構造面内のストレス測定魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
Si(111)表面ではダイマーやアドアトム形成により表面エネルギーが減少した再構成構造を形成し、バルクと異なる表面特有のストレスを有することがD.Vanderbiltによる理論計算によって示されている。前回の報告では、Si(111)77基板および水素終端処理を施したH-Si(111)11基板にMBE法によりGe(111)55再構成構造を形成し、両基板の表面ストレス値を比較することでSi(111)77再構成構造とH-Si(111)11構造の差が1.6N/mであることを実験値として得た。今回、室温および380
Cに加熱したSi(111)77基板に原子状水素が吸着する過程をRHEEDと表面ストレス測定法によるその場観察を実施した。その結果、表面構造がSi(111)77からSi(111)11に変化し、Si表面の水素終端化を確認した。表面ストレス測定では原子状水素吸着と同時に表面ストレスが緩和する様子を捉え、原子状水素吸着時に発生する欠陥が最も抑制され、かつモノハイドライドで終端される5,000Langmuir条件で1.7N/mを示した。本結果は、理論計算値と良い一致を示しており、Si(111)77再構成構造形成時の表面ストレス値を実測することに成功した。
魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
真空中でSi(111)表面の不純物を除去すると理想のバルク表面構造(11構造)に対して7倍の周期構造(77構造)を形成する。バルクと表面の構造差から77面内にストレスが発生することはVanderbiltの理論計算で明らかにされているものの、その実証報告例は少なく、半導体デバイスに実装されるSi基板のストレスに関する知見は理論計算に基づいて検討されているのが実情である。今回、Si(111)表面の構造変化時における面内ストレスを計測し、理論計算との整合性を評価した。基板調整:Si(111)基板に水素終端処理を施すことで理想バルク表面を模擬したH-Si(111)11構造を作製した。また、表面処理したSi(111)基板を真空中で加熱することによりSi(111)77構造を作製した。実験1: Si(111)77, H-Si(111)11へのGe成長時における水素脱離過程のストレスその場観察を実施した結果、両基板上にGe(111)55構造が形成され、膜厚に比例して増加する圧縮ストレスを捉えた。両者の比較により77構造と11構造のストレス差(1.6N/m)を実験的に観測することに成功した。実験2: Si(111)77基板に原子状水素を照射した結果、表面構造はH-Si(111)11へと変化し、水素吸着により表面ストレスが1.7N/m緩和する様子を捉えた。実験1、2の結果と計算値1.66N/mは良い一致を示し、真空中に存在する77構造内のストレスを初めて計測することに成功した。
